Lieu : Palaiseau, France

Construisons ensemble un avenir de confiance

Thales est un leader mondial des hautes technologies spécialisé dans trois secteurs d’activité : Défense & Sécurité, Aéronautique & Spatial, et Cyber & Digital. Il développe des produits et solutions qui contribuent à un monde plus sûr, plus respectueux de l’environnement et plus inclusif. Le Groupe investit près de 4,5 milliards d’euros par an en Recherche & Développement, notamment dans des domaines clés de l’innovation tels que l’IA, la cybersécurité, le quantique, les technologies du cloud et la 6G. Thales compte près de 85 000 collaborateurs dans 65 pays. ​

Nos engagements, vos avantages

• Une réussite portée par notre excellence technologique, votre expérience et notre ambition partagée

• Un package de rémunération attractif

• Un développement des compétences en continu : parcours de formation, académies et communautés internes

• Un environnement inclusif, bienveillant et respectant l’équilibre des collaborateurs

• Un engagement sociétal et environnemental reconnu

Votre quotidien

Thales Research&Technology, notre centre de recherche dans les domaines matériels, et CortAIx Labs, notre centre de recherche en IA et digital ont pour mission de proposer des innovations de ruptures, de maintenir et d’accroitre l’avance technologique et d’en assurer la compétitivité pour le groupe.

En nous rejoignant, vous intégrerez l’équipe Technologies pour applications GaN du groupe Plateformes de III-V Lab, en charge du développement de nouveaux procédés de fabrication de composants microélectroniques à base de matériaux nitrures. À ce titre, notre équipe contribue significativement au développement et à la montée en maturité de nouvelles filières de composants.

La technologie envisagée pour votre thèse repose sur un nouveau type de transistor, présentant un fort potentiel pour la réalisation d’amplificateurs de puissance et de switches hyperfréquences, deux sujets stratégiques pour le groupe Thales.

Votre objectif principal consistera à réaliser et à mettre au point les étapes de fabrication du composant en salle blanche.

Dans ce cadre, vous développerez une expertise sur la quasi-totalité du parc d’équipements de technologie de III-V Lab, notamment la lithographie stepper, la gravure par plasma et différentes techniques de métrologie (électrique, électronique et optique). Vous contribuerez également à la modélisation des structures de semiconducteurs envisagées.

Enfin, vos travaux donneront lieu à des publications scientifiques, à des présentations lors de conférences internationales ainsi qu’au dépôt de brevets.

Votre profil

Doctorant en Technologie GaN (H/F)

Votre priorité est de de faire une thèse entre recherche et industrie ?

Vous avez l’ambition de rejoindre Thales et de contribuer à l’innovation ?

Vous avez un intérêt marqué pour la recherche fondamentale et appliquée et les innovations technologiques ?

Vous disposez d’un diplôme Bac+5 en école d’Ingénieur ou en phase d'obtention d'un master en science des matériaux, ou nanotechnologies, ou physique du solide, et avez des compétences en :

• Composants semiconducteurs pour la micro-électronique.

• Réalisation des composants en salle blanche.

• Physique des semi-conducteurs

• Procédés de fabrication en semiconducteurs/nanotechnologies

• Anglais (écrit, oral) niveau C1 attendu

Bon relationnel, travail en équipe, dynamisme, autonomie, curiosité et adaptabilité sont des atouts que l'on vous reconnait ?

Alors ce poste est fait pour vous !

Le mot de l’équipe

Le sujet de thèse porte sur un des axes majeurs de développement des technologies GaN à III-V Lab.

Thales, entreprise Handi-Engagée, reconnait tous les talents. La diversité est notre meilleur atout. Postulez et rejoignez nous !